Samsung начала массовое производство чипов мобильной памяти DDR3 объемом 4 Гбит

Компания Samsung Electronics объявила о старте массового производства 4-Гбит чипов памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу.

По словам производителя, выпуск DRAM-памяти, каждая ячейка которой состоит из связанных транзистора и конденсатора, намного сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, поэтому традиционно объемы DRAM-чипов заметно уступают объемам чипов флеш-памяти. Чтобы справиться с этой сложной задачей, Samsung использует технологии двойного шаблона и атомно-слоевого осаждения.

Это не только позволило компании выпускать чипы памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу, используя существующую иммерсионную ArF-литографию (литография с использованием эксимерных лазеров на фториде аргона, работающих в диапазоне жесткого ультрафиолета), но и сделает возможным производство следующего поколения DRAM по техпроцессу класса 10 нм в будущем. Показатели энергоэффективности чипов на 25% опережают характеристики мобильной памяти, изготовленной по 25-нм техпроцессу.