Samsung создает 20-нм LPDDR3 на 4 Гбит для мобильных устройств

Компания Samsung Electronics официально объявила о начале производства памяти типа LPDDR3, отличающейся высокой емкостью 4 Гбит и малым энергопотреблением. Новая разработка корейского вендора создается по современным технологическим нормам 20-нм класса и ориентирована на применение в мобильных устройствах, а ее быстродействие вполне сопоставимо с уровнем, который демонстрирует RAM в компьютерных системах. Пропускная способность новой памяти Samsung доходит до 2133 Мбит/с из расчета на один вывод, что делает ее пригодной для высококлассных планшетов и смартфонов.

Иными словами, созданная специалистами Samsung память LPDDR3 более чем в два раза превосходит по скорости передачи свой аналог стандарта LPDDR2 (800 Мбит/с), при этом новинка от южнокорейского производителя потребляет на 20 процентов меньше энергии. Последнее очень важно именно в мобильной сфере, поскольку напрямую влияет на время автономной работы гаджетов от аккумулятора. Эта память Samsung будет предлагаться OEM-фирмам в виде модулей на 2 ГБ высотой всего 0,8 мм, а наращивание выпуска новой мобильной DRAM ожидается до конца текущего года, что отражает высокий спрос на нее.