Старт серийного производства 20-нм модулей памяти Samsung DDR4

Компания Samsung Electronics объявила о старте серийного производства модулей памяти DDR4 для корпоративных серверов, работающих в составе центров обработки данных  следующего поколения.

Как отмечает производитель, более раннее появление на рынке 4-гигабитных (Гб) DDR4 устройств, созданных на основе 20-нанометрового техпроцесса, поспособствует росту спроса на модули памяти емкостью 16 гигабайт (ГБ) и 32 гигабайта, которые смогут в будущем заменить традиционные модули памяти DRAM емкостью 8 ГБ на основе 30-нм техпроцесса, которые наиболее распространены на данный момент.

Использование высокоскоростных чипов памяти DRAM в работе корпоративных серверов следующего поколения значительно повышает производительность системы и снижает уровень энергопотребления. Применяя технологии модулей памяти DDR4 на раннем этапе, ОЕМ-производители могут свести к минимуму эксплуатационные расходы и значительно увеличить производительность, обеспечив, таким образом, более быстрый возврат инвестиций.

Скорость передачи данных 4-гигабитным чипом памяти DDR4 составляет 2667 Мбит/с, что в 1,25 раза больше скорости модулей DDR3, в которых также используются микросхемы 20-нанометрового класса. При этом энергопотребление чипа снижено более чем на 30%. Samsung создала на базе модуля DRAM 20-нм класса, самый производительный и маленький 4-гигабитный чип DRAM-памяти в мире.