Samsung сделала реальностью 6 ГБ RAM на смартфонах

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в индустрии 12-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4 на базе 20-нанометрового технологического процесса.

Как отмечает производитель, Samsung LPDDR3 емкостью 12 Гбит отличается улучшенной пропускной способностью и наивысшей скоростью работы, доступной на рынке чипов DRAM-памяти.

Новый 20-нм 12-гигабитный LPDDR4 чип с 4,266 Мбит/с обеспечивает на 30% выше производительность по сравнению с 8-гигабитным LPDDR4 чипом. Такие чипы будут использоваться в флагманских мобильных устройствах. 12-гигабитный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4 позволяет интегрировать 3 ГБ или 6 ГБ мобильной DRAM-памяти в один гаджет, используя 2 и 4 микросхемы соответственно. При этом 6-гигабайтный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4 занимает столько же места, что и 3-гигабайтный LPDDR4.